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介绍耳机插座的静电流

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介绍耳机插座的静电流

发布日期:2018-08-07 作者: 点击:

  介绍耳机插座的静电流

耳机插座按其种类不同,受静电破坏的程度也不一样,更低的100V的静电压也会对其造成破坏。近年来随着电子元器件发展趋于集成化,因此要求相应的静电电压也在不断降低。

  人体所感应的静电电压一般在2-4KV以上,通常是由于人体的轻微动作或与绝缘物的磨擦而引起的。也就是说,倘若我们日常生活中所带的静电电位与IC接触,那么几乎所有的IC都将被破坏,这种危险存在于任何没有采取静电防护措施的工作环境中。静电对IC的破坏不仅体现在电子元器件的制作工序当中,而且在IC的组装、运输等过程中都会对IC产生破坏。

    耳机插座

  信号源耦合到被测电路上的信号幅度在匹配和非匹配状态下是不同的,耳机插座的输出幅度一般要么是空载输出的幅度,要么是匹配输出的幅度,这可通过仪器使用说明或通过实测来确定。如果被测电路的输入阻抗不是比信号源输出阻抗大得多,也不与信号源的输出阻抗相匹配,则不可以通过信号源的面板指示来确定耦合到被测电路上的信号幅度,而要通过实测确定。

  在相同类型的耳机插座中,工作频率越高,工作电流越大,开关时间越短,或者额定电源电压越高,则抗辐射能力越强。例如,用相同工艺和材料制作的微处理器电路,要求10V电源的电路比要求5V电源的电路抗辐射能力强,因为10V电源有3V的噪声容限,而5V电源只有1.5V的噪声容限。

  在不同类型的耳机插座中,半导体二极管的抗辐射能力优于晶体管三极管,结型场效应管的抗辐射能力优于双极晶体管,由分立器件构成的电路的抗电离辐射能力优于实现相同功能的单片集成电路,数字集成电路的抗中子辐射能力模拟集成电路。


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